点击图片查看大图
SIPMOS? Small-Signal-Transistor
Product Summary
VDS -60 V
RDS(on) 8
ID -0.17 A
Feature
P-Channel
Enhancement mode
Logic Level
Avalanche rated
dv/dt rated
Maximum Ratings, at TA = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Value Unit
Continuous drain current
TA=25°C
TA=70°C
ID
-0.17
-0.14
A
Pulsed drain current
TA=25°C
ID puls -0.68
Avalanche energy, single pulse
ID=-0.17 A , VDD=-25V, RGS=25
EAS 2.6 mJ
Avalanche energy, periodic limited by Tjmax EAR 0.036
Reverse diode dv/dt
IS=-0.17A, VDS=-48V, di/dt=-200A/μs, Tjmax=150°C
dv/dt -6 kV/μs
Gate source voltage VGS ±20 V
Power dissipation
TA=25°C
Ptot 0.36 W
Operating and storage temperature Tj , Tstg -55... +150 °C
品牌 INFINEON 型号 BSS84P
种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 ALGaAS铝镓砷
最大漏极电流 170（mA） 最大耗散功率 360（mW）
